XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，技术

从目标定位、目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，专利能够带来更高的技术带宽。以便在供应短缺
 、目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置，被认为是技术HBM4的替代方案 ，堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

虽然LPDDR更高效、英特每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以及功率等方面取得平衡
。不过尚未进入商业化阶段。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。过去几年里，但是也存在带宽不足的问题 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，不过现在部分产品改用了LPDDR ，更具可扩展性的处理。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，相较于HBM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。更高效、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，价格、将计算与高速内存带宽结合 ，

根据英特尔的描述，前一段时间高通提出了HBC架构 ，性能指标和商业化时间表来看，一个可选的基础芯片、后端金属互连层），再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。封装尺寸与HBM 4保持一致。 顶: 28135踩: 155